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1. OCD线宽量测
在半导体薄膜和光学线宽量测领域积累的丰富经验，让我们能够帮助不同工艺节点的客户进行半导体工艺流程的分析和优化、最终提高芯片良率. OCD光学线宽量测 ...光学线宽量测OCD系列光学线宽量测芯片制造商在28nm工艺节点以下引入finFETs三维电晶体结构，finFETs有着各种各样复杂的三维结构和而难以量测的薄膜，结构尺寸常常小于1埃(0.1纳米)。
OCD(OpticalCriticalDimension)光学线宽量测应用于三维特征尺寸量测和复杂轮廓分析，可以提供CD-SEM或原子力显微镜AFM所无法提供的资讯，包括Footing、Notch、Undercut与SidewallAngle等结构细节，同时也能计算出蚀刻深度。
¥ 0.00立即购买芯片制造在28nm工艺节点以下引入FinFETs三维电晶体结构，FinFETs有着各种各样复杂的三维结构和难以量测的薄膜，结构尺寸常常小于1埃(0.1纳米)ToviewthisvideopleaseenableJavaScript,andconsiderupgradingtoawebbrowserthat视频播放失败，请联系站点管理员！随着半导体工艺向10纳米以下线宽发展，我们持续研发新一代高性能薄膜量测技术，以帮助客户应对全新工艺控制方面的技术挑战 半导体先进制造工艺流程在半导体薄膜和光学线宽量测领域积累的丰富经验，让我们能够帮助不同工艺节点的客户进行半导体工艺流程的分析和优化、最终提高芯片良率 OCD光学线宽量测应用于三维特征尺寸量测和复杂轮廓分析，可以提供CD-SEM和AFM所无法提供的资讯，包括Footing、Notch、Undercut与SidewallAngle等结构细节，同时也能计算出蚀刻深度 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6
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2. OCD系列光学线宽量测-匠岭半导体
芯片制造商在28nm工艺节点以下引入finFETs三维电晶体结构，finFETs有着各种各样复杂的三维结构和而难以量测的薄膜，结构尺寸常常小于1埃(0.1纳米)。
OCD ...首页 ꁇ 光学线宽量测 ꁇ OCD系列光学线宽量测OCD系列光学线宽量测芯片制造商在28nm工艺节点以下引入finFETs三维电晶体结构，finFETs有着各种各样复杂的三维结构和而难以量测的薄膜，结构尺寸常常小于1埃(0.1纳米)。
OCD (OpticalCriticalDimension) 光学线宽量测应用于三维特征尺寸量测和复杂轮廓分析，可以提供CD-SEM或原子力显微镜AFM所无法提供的资讯，包括Footing、Notch、Undercut与SidewallAngle等结构细节，同时也能计算出蚀刻深度。
ꄴ上一个：无ꄲ下一个：无光学线宽量测TFT60-41넳넲 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6 本网站由阿里云提供云计算及安全服务本网站支持IPv6
OCD ...首页 ꁇ 光学线宽量测 ꁇ OCD系列光学线宽量测OCD系列光学线宽量测芯片制造商在28nm工艺节点以下引入finFETs三维电晶体结构，finFETs有着各种各样复杂的三维结构和而难以量测的薄膜，结构尺寸常常小于1埃(0.1纳米)。
OCD (OpticalCriticalDimension) 光学线宽量测应用于三维特征尺寸量测和复杂轮廓分析，可以提供CD-SEM或原子力显微镜AFM所无法提供的资讯，包括Footing、Notch、Undercut与SidewallAngle等结构细节，同时也能计算出蚀刻深度。
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3. 【國盛鄭震湘團隊】精測電子：半導體設備新星，膜厚量測+ ...
上海精測布局膜厚及OCD檢測、SEM檢測等技術方向。
在膜厚方面，上海精測已經推出了膜厚檢測設備、OCD檢測設備等多款半導體測量設備。
微博|客戶服務|新浪網首頁即時政治社會娛樂國際生活旅遊科技體育財經綜合氣象熱門綠色永續最新雜誌財經新聞>北京新浪網【國盛鄭震湘團隊】精測電子：半導體設備新星，膜厚量測+存儲檢測兩大突破北京新浪網(2020-01-2211:50)分享|來源：湘評科技精測電子作為檢測設備龍頭，在半導體DriverIC、Memory、膜厚三大領域持續突破，未來有望隨著半導體設備業務放量迎來第二波黃金成長期。
進行第二次重大戰略轉型，半導體設備領域新星有望冉冉升起。
公司在2013~2014年通過引進和整合面板資產，在2015年之後進入快速成長階段。
我們認為公司在2018~2019年實現第二次重大戰略轉型，向半導體領域發展。
公司發展戰略定位為成為「顯示、半導體、新能源行業以測試設備為核心的全球領先的綜合服務提供商」，在基於顯示業務現金流基礎的同時，開拓半導體和新能源兩大領域。
從0到1，上海精測正式突破膜厚設備國產替代。
精測電子子公司上海精測在2020年1月17日中標3台集成式膜厚光學關鍵尺寸量測儀，標誌著我國在半導體膜厚設備實現重大國產突破。
上海精測布局膜厚及OCD檢測、SEM檢測等技術方向。
在膜厚方面，上海精測已經推出了膜厚檢測設備、OCD檢測設備等多款半導體測量設備。
在電子光學SEM檢測方向，公司將布局晶圓缺陷修複檢測、關鍵尺寸檢測等設備。
膜厚設備受KLA等海外廠商主導，市場空間對應約7億美元。
武漢精鴻中標MemoryATE檢測設備，實現存儲檢測領域重要突破。
精測電子子公司武漢精鴻在2019年12月24日中標5台產品級高溫老化測試機，實現國內存儲檢測設備MemoryATE的重要突破。
武漢精鴻成立於2018年3月，主要布局ATE，目前進展順利。
公司推出全新的自主研發的老化和電測相結合的MemoryATE設備，該設備受市場好評，有望快速打開國內存儲領域設備國產替代市場。
Memory檢測市場受泰瑞達和愛德萬壟斷，2019年全球memory測試市場大約6~7億美元，此前國產化率為0。
精測電子作為檢測設備龍頭，轉型期進展不斷超預期。
公司仍有較多在手的主業訂單，疊加半導體大幅扭虧，新能源自我造血功能逐漸實現。
公司在DriverIC、Memory、膜厚三大領域不斷突破，憑藉技術布局和外延併購，中國半導體設備新星正揚帆起航。
預計2019~2021年公司歸母凈利潤為3.47/4.76/6.61億元，維持「買入」評級。
風險提示：下游需求不及預期。
正文大基金增資上海精測，從顯示向半導體轉型持續驗證精測電子作為檢測設備龍頭，在半導體DriverIC、Memory、膜厚三大領域持續突破，未來有望隨著半導體設備業務放量迎來第二波黃金成長期。
進行第二次重大戰略轉型，半導體設備領域新星有望冉冉升起。
公司在2013~2014年通過引進和整合面板資產，在2015年之後進入快速成長階段。
我們認為公司在2018~2019年實現第二次重大戰略轉型，向半導體領域發展。
公司發展戰略定位為成為「顯示、半導體、新能源行業以測試設備為核心的全球領先的綜合服務提供商」，在基於顯示業務現金流基礎的同時，開拓半導體和新能源兩大領域。
半導體業務進展持續超預期。
武漢精鴻Memory檢測形成重複訂單，客戶評價較好，有望隨下游擴產和放量；Wintest在武漢子公司2020年中量產，解決產能瓶頸，推動LCDdriver/cis測試設備國產化；上海膜厚驗證速度較快，預計2020年形成貢獻。
上海精測股權變動已經完成，大基金增資1億元，上海半導體、青浦投資等成為上海精測股東，體現產業政策引導方向。
顯示業務上仍然增長，重點看OLED及miniLED等新型技術。
OLED整體投資額在增加，且OLED檢測需求高於LCD，公司大客戶不斷突破，持續推進。
2020年京東方、華星光電都將推動mini-LED背光技術，LCD技術持續升級，檢測需求提升。
精測電子拓展垂直產業鏈能力，布局緊抓新一輪顯示技術趨勢。
AR/VR有機會成為下一個重要的應用終端。
在膜厚方面，上海精測已經推出了膜厚檢測設備、OCD檢測設備等多款半導體測量設備。
微博|客戶服務|新浪網首頁即時政治社會娛樂國際生活旅遊科技體育財經綜合氣象熱門綠色永續最新雜誌財經新聞>北京新浪網【國盛鄭震湘團隊】精測電子：半導體設備新星，膜厚量測+存儲檢測兩大突破北京新浪網(2020-01-2211:50)分享|來源：湘評科技精測電子作為檢測設備龍頭，在半導體DriverIC、Memory、膜厚三大領域持續突破，未來有望隨著半導體設備業務放量迎來第二波黃金成長期。
進行第二次重大戰略轉型，半導體設備領域新星有望冉冉升起。
公司在2013~2014年通過引進和整合面板資產，在2015年之後進入快速成長階段。
我們認為公司在2018~2019年實現第二次重大戰略轉型，向半導體領域發展。
公司發展戰略定位為成為「顯示、半導體、新能源行業以測試設備為核心的全球領先的綜合服務提供商」，在基於顯示業務現金流基礎的同時，開拓半導體和新能源兩大領域。
從0到1，上海精測正式突破膜厚設備國產替代。
精測電子子公司上海精測在2020年1月17日中標3台集成式膜厚光學關鍵尺寸量測儀，標誌著我國在半導體膜厚設備實現重大國產突破。
上海精測布局膜厚及OCD檢測、SEM檢測等技術方向。
在膜厚方面，上海精測已經推出了膜厚檢測設備、OCD檢測設備等多款半導體測量設備。
在電子光學SEM檢測方向，公司將布局晶圓缺陷修複檢測、關鍵尺寸檢測等設備。
膜厚設備受KLA等海外廠商主導，市場空間對應約7億美元。
武漢精鴻中標MemoryATE檢測設備，實現存儲檢測領域重要突破。
精測電子子公司武漢精鴻在2019年12月24日中標5台產品級高溫老化測試機，實現國內存儲檢測設備MemoryATE的重要突破。
武漢精鴻成立於2018年3月，主要布局ATE，目前進展順利。
公司推出全新的自主研發的老化和電測相結合的MemoryATE設備，該設備受市場好評，有望快速打開國內存儲領域設備國產替代市場。
Memory檢測市場受泰瑞達和愛德萬壟斷，2019年全球memory測試市場大約6~7億美元，此前國產化率為0。
精測電子作為檢測設備龍頭，轉型期進展不斷超預期。
公司仍有較多在手的主業訂單，疊加半導體大幅扭虧，新能源自我造血功能逐漸實現。
公司在DriverIC、Memory、膜厚三大領域不斷突破，憑藉技術布局和外延併購，中國半導體設備新星正揚帆起航。
預計2019~2021年公司歸母凈利潤為3.47/4.76/6.61億元，維持「買入」評級。
風險提示：下游需求不及預期。
正文大基金增資上海精測，從顯示向半導體轉型持續驗證精測電子作為檢測設備龍頭，在半導體DriverIC、Memory、膜厚三大領域持續突破，未來有望隨著半導體設備業務放量迎來第二波黃金成長期。
進行第二次重大戰略轉型，半導體設備領域新星有望冉冉升起。
公司在2013~2014年通過引進和整合面板資產，在2015年之後進入快速成長階段。
我們認為公司在2018~2019年實現第二次重大戰略轉型，向半導體領域發展。
公司發展戰略定位為成為「顯示、半導體、新能源行業以測試設備為核心的全球領先的綜合服務提供商」，在基於顯示業務現金流基礎的同時，開拓半導體和新能源兩大領域。
半導體業務進展持續超預期。
武漢精鴻Memory檢測形成重複訂單，客戶評價較好，有望隨下游擴產和放量；Wintest在武漢子公司2020年中量產，解決產能瓶頸，推動LCDdriver/cis測試設備國產化；上海膜厚驗證速度較快，預計2020年形成貢獻。
上海精測股權變動已經完成，大基金增資1億元，上海半導體、青浦投資等成為上海精測股東，體現產業政策引導方向。
顯示業務上仍然增長，重點看OLED及miniLED等新型技術。
OLED整體投資額在增加，且OLED檢測需求高於LCD，公司大客戶不斷突破，持續推進。
2020年京東方、華星光電都將推動mini-LED背光技術，LCD技術持續升級，檢測需求提升。
精測電子拓展垂直產業鏈能力，布局緊抓新一輪顯示技術趨勢。
AR/VR有機會成為下一個重要的應用終端。
4. 橢圓偏振技術
橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。
它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微 ...橢圓偏振技術維基百科，自由的百科全書跳至導覽跳至搜尋橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。
它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。
橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。
分析自樣品反射之偏振光的改變，橢圓偏振技術可得到膜厚比探測光本身波長更短的薄膜資訊，小至一個單原子層，甚至更小。
橢圓儀可測得複數折射率或介電函數張量，可以此獲得基本的物理參數，並且這與各種樣品的性質，包括形態、晶體質量、化學成分或導電性，有所關聯。
它常被用來鑑定單層或多層堆疊的薄膜厚度，可量測厚度由數埃（Angstrom）或數奈米到幾微米皆有極佳的準確性。
之所以命名為橢圓偏振，是因為一般大部分的偏振多是橢圓的。
此技術已發展近百年，現在已有許多標準化的應用。
然而，橢圓偏振技術對於在其他學科如生物學和醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。
例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。
目錄1基本原理2實驗細節2.1實驗裝置2.2數據蒐集2.3數據分析3定義3.1單波長與光譜橢圓偏振技術3.2標準與廣義橢圓偏振理論(非等向性)3.3瓊斯矩陣與穆勒矩陣型式（退偏振化）4進階實驗方法4.1橢圓偏振成像4.2原位橢圓偏振4.3橢圓偏振孔隙測定4.4磁光廣義橢圓偏振5優勢6參考資料基本原理[編輯]此技術係在測量光在入射樣品時，其反射光偏振性質與入射光偏振性質的改變[1]。
通常，橢圓偏振在反射模式下進行。
偏振性質的改變主要是由樣品的性質，如厚度、複折射率或介電函數，來決定。
雖然光學技術受制於先天繞射極限的限制，橢圓偏振卻可藉由相位資訊及光偏振之狀態的改變，來取得埃等級的解析度。
在最簡單的形式，此技術可適用於厚度小於一奈米到數微米之薄膜。
樣品必須是由少數幾個不連續而有明確介面、光學均勻且具等向性且非吸收光的膜層構成。
逾越上述的假設，則會不符標準橢圓偏振之處理程序，因而將需要對此技術更進階的一些改變以符合其應用（見下詳述）。
實驗細節[編輯]實驗裝置[編輯]橢圓偏振實驗之裝置示意圖光源所發射出之電磁輻射經過起偏器後，改變為線性偏振光，可選擇是否通過補償鏡片(Compensator，延相器或四分之一波片)，之後打在薄膜樣品上。
電磁波被反射後同樣可選擇是否再通過補償鏡片，然後穿過第二片通常稱為分析鏡的偏光鏡，進入偵檢器。
有些橢圓儀不使用補償片，而在入射光束的路徑採用相位調變器。
橢圓偏振是一種光學鏡面反射技術(入射角等於反射角)，入射光與反射光路徑在同一平面上(稱為入射平面)，而被偏振為與此平面平行及垂直的光，則分別稱之為「s」或「p」偏振光。
數據蒐集[編輯]（標準）橢圓偏振測量四個史托克參數中的兩個，通常以Ψ{\displaystyle\Psi}及Δ{\displaystyle\Delta}來表示。
入射至樣品的光之偏振狀態可被分解成「s」及「p」兩項（「s」成份為光之電場振盪垂直入射平面，「p」則平行）。
「s」及「p」成份之振幅（強度）在反射及對其初始值做正規化之後，分別標示為rs{\displaystyler_{s}}及rp{\displaystyler_{p}}。
橢圓偏振測量rs{\displaystyler_{s}}與rp{\displaystyler_{p}}之比例，此比例可以下述基本方程式來描述：ρ=rprs=tan(Ψ)eiΔ{\displaystyle\rho={\frac{r_{p}}{r_{s}}}=\tan(\Psi)e^{i\Delta}}其中，tanΨ{\displaystyle\tan\Psi}為反射後之振幅比，Δ{\displaystyle\Delta}為相位移（相差）。
由於橢圓偏振係測量兩項之比值（或差異）而非其絕對數值，因此這技術所得的數據是相當正確且可再現的，其對散射及擾動等因素較不敏感，且不需要標準樣品或參考樣品。
數據分析[編輯]橢圓偏振為間接量測的技術，也就是說，一般測得的
它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微 ...橢圓偏振技術維基百科，自由的百科全書跳至導覽跳至搜尋橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。
它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。
橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。
分析自樣品反射之偏振光的改變，橢圓偏振技術可得到膜厚比探測光本身波長更短的薄膜資訊，小至一個單原子層，甚至更小。
橢圓儀可測得複數折射率或介電函數張量，可以此獲得基本的物理參數，並且這與各種樣品的性質，包括形態、晶體質量、化學成分或導電性，有所關聯。
它常被用來鑑定單層或多層堆疊的薄膜厚度，可量測厚度由數埃（Angstrom）或數奈米到幾微米皆有極佳的準確性。
之所以命名為橢圓偏振，是因為一般大部分的偏振多是橢圓的。
此技術已發展近百年，現在已有許多標準化的應用。
然而，橢圓偏振技術對於在其他學科如生物學和醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。
例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。
目錄1基本原理2實驗細節2.1實驗裝置2.2數據蒐集2.3數據分析3定義3.1單波長與光譜橢圓偏振技術3.2標準與廣義橢圓偏振理論(非等向性)3.3瓊斯矩陣與穆勒矩陣型式（退偏振化）4進階實驗方法4.1橢圓偏振成像4.2原位橢圓偏振4.3橢圓偏振孔隙測定4.4磁光廣義橢圓偏振5優勢6參考資料基本原理[編輯]此技術係在測量光在入射樣品時，其反射光偏振性質與入射光偏振性質的改變[1]。
通常，橢圓偏振在反射模式下進行。
偏振性質的改變主要是由樣品的性質，如厚度、複折射率或介電函數，來決定。
雖然光學技術受制於先天繞射極限的限制，橢圓偏振卻可藉由相位資訊及光偏振之狀態的改變，來取得埃等級的解析度。
在最簡單的形式，此技術可適用於厚度小於一奈米到數微米之薄膜。
樣品必須是由少數幾個不連續而有明確介面、光學均勻且具等向性且非吸收光的膜層構成。
逾越上述的假設，則會不符標準橢圓偏振之處理程序，因而將需要對此技術更進階的一些改變以符合其應用（見下詳述）。
實驗細節[編輯]實驗裝置[編輯]橢圓偏振實驗之裝置示意圖光源所發射出之電磁輻射經過起偏器後，改變為線性偏振光，可選擇是否通過補償鏡片(Compensator，延相器或四分之一波片)，之後打在薄膜樣品上。
電磁波被反射後同樣可選擇是否再通過補償鏡片，然後穿過第二片通常稱為分析鏡的偏光鏡，進入偵檢器。
有些橢圓儀不使用補償片，而在入射光束的路徑採用相位調變器。
橢圓偏振是一種光學鏡面反射技術(入射角等於反射角)，入射光與反射光路徑在同一平面上(稱為入射平面)，而被偏振為與此平面平行及垂直的光，則分別稱之為「s」或「p」偏振光。
數據蒐集[編輯]（標準）橢圓偏振測量四個史托克參數中的兩個，通常以Ψ{\displaystyle\Psi}及Δ{\displaystyle\Delta}來表示。
入射至樣品的光之偏振狀態可被分解成「s」及「p」兩項（「s」成份為光之電場振盪垂直入射平面，「p」則平行）。
「s」及「p」成份之振幅（強度）在反射及對其初始值做正規化之後，分別標示為rs{\displaystyler_{s}}及rp{\displaystyler_{p}}。
橢圓偏振測量rs{\displaystyler_{s}}與rp{\displaystyler_{p}}之比例，此比例可以下述基本方程式來描述：ρ=rprs=tan(Ψ)eiΔ{\displaystyle\rho={\frac{r_{p}}{r_{s}}}=\tan(\Psi)e^{i\Delta}}其中，tanΨ{\displaystyle\tan\Psi}為反射後之振幅比，Δ{\displaystyle\Delta}為相位移（相差）。
由於橢圓偏振係測量兩項之比值（或差異）而非其絕對數值，因此這技術所得的數據是相當正確且可再現的，其對散射及擾動等因素較不敏感，且不需要標準樣品或參考樣品。
數據分析[編輯]橢圓偏振為間接量測的技術，也就是說，一般測得的
5. TWI631314B
再次，該等方法及程序同樣適用於具有重複結構之其他工件。
圖16B為說明根據本發明之實施例利用光束輪廓反射量測及/或光束輪廓橢圓量測以判定半導體晶圓上之 ...TWI631314B-利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶圓塗覆的程序參數之系統-GooglePatents利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶圓塗覆的程序參數之系統DownloadPDFInfoPublicationnumberTWI631314BTWI631314BTW106107848ATW106107848ATWI631314BTWI631314BTWI631314BTWI631314BTW106107848ATW106107848ATW106107848ATW106107848ATW106107848ATW106107848ATWI631314BTWI631314BTWI631314BAuthorityTWTaiwanPriorartkeywordsopticallowlightresponseparameterPriorartdate2011-06-20ApplicationnumberTW106107848AOtherlanguagesEnglish(en)OtherversionsTW201719113A(zhInventorＧ佐拉陶德斯莊勇何班傑明蔡賓明劉學峰Ｊ漢琪約翰OriginalAssignee美商克萊譚克公司Prioritydate(Theprioritydateisanassumptionandisnotalegalconclusion.Googlehasnotperformedalegalanalysisandmakesnorepresentationastotheaccuracyofthedatelisted.)2011-06-20Filingdate2012-06-15Publicationdate2018-08-012011-06-20PrioritytoUS13/164,398priorityCriticalpatent/US9310296B2/en2011-06-20PrioritytoUS13/164,398priority2012-06-15Applicationfiledby美商克萊譚克公司filedCritical美商克萊譚克公司2017-06-01PublicationofTW201719113ApublicationCriticalpatent/TW201719113A/zh2018-08-01ApplicationgrantedgrantedCritical2018-08-01PublicationofTWI631314BpublicationCriticalpatent/TWI631314B/zhLinksEspacenetGlobalDossierDiscuss230000003287opticalEffects0.000titleclaimsabstractdescription194238000004458analyticalmethodMethods0.000titleclaimsabstractdescription32238000003860storageMethods0.000titleclaimsdescription27238000000034methodMethods0.000titleclaimsdescription24230000004044responseEffects0.000claimsabstractdescription90238000005457optimizationMethods0.000claimsabstractdescription35238000005259measurementMethods0.000claimsdescription57238000004519manufacturingprocessMethods0.000claimsdescription26239000011248coatingagentSubstances0.000claimsdescription6238000000576coatingmethodMethods0.000claimsdescription6238000004088simulationMethods0.000claimsdescription423000000
圖16B為說明根據本發明之實施例利用光束輪廓反射量測及/或光束輪廓橢圓量測以判定半導體晶圓上之 ...TWI631314B-利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶圓塗覆的程序參數之系統-GooglePatents利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶圓塗覆的程序參數之系統DownloadPDFInfoPublicationnumberTWI631314BTWI631314BTW106107848ATW106107848ATWI631314BTWI631314BTWI631314BTWI631314BTW106107848ATW106107848ATW106107848ATW106107848ATW106107848ATW106107848ATWI631314BTWI631314BTWI631314BAuthorityTWTaiwanPriorartkeywordsopticallowlightresponseparameterPriorartdate2011-06-20ApplicationnumberTW106107848AOtherlanguagesEnglish(en)OtherversionsTW201719113A(zhInventorＧ佐拉陶德斯莊勇何班傑明蔡賓明劉學峰Ｊ漢琪約翰OriginalAssignee美商克萊譚克公司Prioritydate(Theprioritydateisanassumptionandisnotalegalconclusion.Googlehasnotperformedalegalanalysisandmakesnorepresentationastotheaccuracyofthedatelisted.)2011-06-20Filingdate2012-06-15Publicationdate2018-08-012011-06-20PrioritytoUS13/164,398priorityCriticalpatent/US9310296B2/en2011-06-20PrioritytoUS13/164,398priority2012-06-15Applicationfiledby美商克萊譚克公司filedCritical美商克萊譚克公司2017-06-01PublicationofTW201719113ApublicationCriticalpatent/TW201719113A/zh2018-08-01ApplicationgrantedgrantedCritical2018-08-01PublicationofTWI631314BpublicationCriticalpatent/TWI631314B/zhLinksEspacenetGlobalDossierDiscuss230000003287opticalEffects0.000titleclaimsabstractdescription194238000004458analyticalmethodMethods0.000titleclaimsabstractdescription32238000003860storageMethods0.000titleclaimsdescription27238000000034methodMethods0.000titleclaimsdescription24230000004044responseEffects0.000claimsabstractdescription90238000005457optimizationMethods0.000claimsabstractdescription35238000005259measurementMethods0.000claimsdescription57238000004519manufacturingprocessMethods0.000claimsdescription26239000011248coatingagentSubstances0.000claimsdescription6238000000576coatingmethodMethods0.000claimsdescription6238000004088simulationMethods0.000claimsdescription423000000
6. 這裡
課程將依序進行背景簡介，包含半導體粒子檢測需求、量測技術概念；其次講述以 ... 課程首先會介紹光學量測(OCD Metrology)的原理以及背景，並闡述光學量測 ...如無法預覽整個網頁請按這裡CMP量測技術課程各位親愛的會員：本協會將於108/12/06於國立台灣科技大學竹北前瞻研發中心舉辦CMP量測技術課程,上午會由何信佳講師為各位講述研磨液相關的各種量測技術。
課程將依序進行背景簡介，包含半導體粒子檢測需求、量測技術概念；其次講述以光學散射的量測方法，此法應用極廣且為現階段粒子量測主流，講述內容特別以動態光和粒子計數器為主；再則講述電子顯微技術，包含穿透式電子顯微鏡和掃描式電子顯微技術原理，及其應用於液態粒子的量測；最後，講述新型溶液中奈米微粒量測技術，此技術建構在氣膠粒子量測方法，可量得至數奈米顆粒，且較以往其他技術可提供團聚顆粒、工作顆粒和添加劑等資訊。
下午則由陳俊賢講師為各位講述使用光學來量測半導體元件結構尺寸，以及概述如何藉由所獲得的尺寸來增進CMP的效能。
課程首先會介紹光學量測(OCDMetrology)的原理以及背景，並闡述光學量測如何使用在產線上，並與其他量測技術做比較。
其次介紹先進製程控制技術，該技術是如何在CMP製程和光學量測之間完成，並佐以實際例子來解釋。
最後利用已公開的FinFET製程流程，來讓學員更能了解CMP到底用在哪些製程站點，光學量測又是在哪些製程中作量測以及其挑戰與困難點。
歡迎對平坦化技術有興趣者一同共襄盛舉。
※早鳥報名活動~早鳥報名活動開始囉~即日起至108/11/13號，於期間內完成報名及繳費享有較優惠的早鳥價格!!【上課日期】：108/12/06星期五【上課地點】：國立台灣科技大學竹北前瞻研發中心二樓C研究室(新竹縣竹北市福興路951號)※有提供免費停車場【課程主題】：CMP量測技術課程【課程大綱】：上午：CMP量測技術課程-研磨液量測講師：何信佳1.半導體量測技術概念2.光學量測技術3.奈米微粒量測技術下午：CMP量測技術課程–光學量測講師：陳俊賢1.光學量測(OCDMetrology)的原理2.先進製程控制技術3.FinFET製程流程課程首先會介紹光學量測(OCDMetrology)的原理以及背景，並闡述光學量測如何使用在產線上，並與其他量測技術做比較。
其次介紹先進製程控制技術，該技術是如何在CMP製程和光學量測之間完成，並佐以實際例子來解釋。
最後利用已公開的FinFET製程流程，來讓學員更能了解CMP到底用在哪些製程站點，光學量測又是在哪些製程中作量測以及其挑戰與困難點。
【課程時間表】：2019/12/06課程時間表(點擊下載)【講師簡介】：何信佳講師(點擊下載)陳俊賢講師(點擊下載)【報名方式】：1.線上報名：點我報名【課程費用】：課程費用需於開課前先行繳納全額費用註冊11/13前11/13後一般人士(網路會員)NTD3500NTD4000CMPUG會員NTD2800NTD3200【付款方式】：1.匯款或轉帳繳費：請於匯款(掃描存根)或轉帳(後五碼)完成後寄至[email protected](魏小姐)信箱，經確認後會予以通知!匯款資訊(Remittance/WireTransfer)PaymentMethod匯款銀行(Bank)合作金庫銀行三興分行(代號：006)TaiwanCooperativeBankInternationalDepartmentSWIFTTACBTWTP戶名(Beneficiary)台灣平坦化應用技術協會ChemicalMechanicalPlanarizationUserGroupTaiwan帳戶(AccountNo)1405717328730匯款資訊(Remittance/WireTransfer)PaymentMethod匯款銀行(Bank)玉山銀行大安分行(代號：808)E.SUNCOMMERCIALBANK,LTD.SWIFTESUNTWTP戶名(Beneficiary)社團法人台灣平坦化應用技術協會附設半導體人才培訓中心帳戶(AccountNo)0967-940-0109172.刷卡繳費：信用卡訂購單(點擊下載)完成填寫後請回傳至[email protected](魏小姐)信箱。
【退費辦法】：1.參訓學員需繳納課程費用始完成報名手續。
2.參訓學員已繳納課程費用，但因個人因素，於開訓10日前辦理退訓者，退還90%課程費用；於開訓6日前辦理退訓者，退還50%課程費用；於開訓3日前辦理退訓者，退還10%課程費用；課程當天辦理退訓者，不予退費。
課程將依序進行背景簡介，包含半導體粒子檢測需求、量測技術概念；其次講述以光學散射的量測方法，此法應用極廣且為現階段粒子量測主流，講述內容特別以動態光和粒子計數器為主；再則講述電子顯微技術，包含穿透式電子顯微鏡和掃描式電子顯微技術原理，及其應用於液態粒子的量測；最後，講述新型溶液中奈米微粒量測技術，此技術建構在氣膠粒子量測方法，可量得至數奈米顆粒，且較以往其他技術可提供團聚顆粒、工作顆粒和添加劑等資訊。
下午則由陳俊賢講師為各位講述使用光學來量測半導體元件結構尺寸，以及概述如何藉由所獲得的尺寸來增進CMP的效能。
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※早鳥報名活動~早鳥報名活動開始囉~即日起至108/11/13號，於期間內完成報名及繳費享有較優惠的早鳥價格!!【上課日期】：108/12/06星期五【上課地點】：國立台灣科技大學竹北前瞻研發中心二樓C研究室(新竹縣竹北市福興路951號)※有提供免費停車場【課程主題】：CMP量測技術課程【課程大綱】：上午：CMP量測技術課程-研磨液量測講師：何信佳1.半導體量測技術概念2.光學量測技術3.奈米微粒量測技術下午：CMP量測技術課程–光學量測講師：陳俊賢1.光學量測(OCDMetrology)的原理2.先進製程控制技術3.FinFET製程流程課程首先會介紹光學量測(OCDMetrology)的原理以及背景，並闡述光學量測如何使用在產線上，並與其他量測技術做比較。
其次介紹先進製程控制技術，該技術是如何在CMP製程和光學量測之間完成，並佐以實際例子來解釋。
最後利用已公開的FinFET製程流程，來讓學員更能了解CMP到底用在哪些製程站點，光學量測又是在哪些製程中作量測以及其挑戰與困難點。
【課程時間表】：2019/12/06課程時間表(點擊下載)【講師簡介】：何信佳講師(點擊下載)陳俊賢講師(點擊下載)【報名方式】：1.線上報名：點我報名【課程費用】：課程費用需於開課前先行繳納全額費用註冊11/13前11/13後一般人士(網路會員)NTD3500NTD4000CMPUG會員NTD2800NTD3200【付款方式】：1.匯款或轉帳繳費：請於匯款(掃描存根)或轉帳(後五碼)完成後寄至[email protected](魏小姐)信箱，經確認後會予以通知!匯款資訊(Remittance/WireTransfer)PaymentMethod匯款銀行(Bank)合作金庫銀行三興分行(代號：006)TaiwanCooperativeBankInternationalDepartmentSWIFTTACBTWTP戶名(Beneficiary)台灣平坦化應用技術協會ChemicalMechanicalPlanarizationUserGroupTaiwan帳戶(AccountNo)1405717328730匯款資訊(Remittance/WireTransfer)PaymentMethod匯款銀行(Bank)玉山銀行大安分行(代號：808)E.SUNCOMMERCIALBANK,LTD.SWIFTESUNTWTP戶名(Beneficiary)社團法人台灣平坦化應用技術協會附設半導體人才培訓中心帳戶(AccountNo)0967-940-0109172.刷卡繳費：信用卡訂購單(點擊下載)完成填寫後請回傳至[email protected](魏小姐)信箱。
【退費辦法】：1.參訓學員需繳納課程費用始完成報名手續。
2.參訓學員已繳納課程費用，但因個人因素，於開訓10日前辦理退訓者，退還90%課程費用；於開訓6日前辦理退訓者，退還50%課程費用；於開訓3日前辦理退訓者，退還10%課程費用；課程當天辦理退訓者，不予退費。
7. 多角度分光光譜臨界尺寸測量儀--Quatek
光學臨界尺寸（OCD）和高級膜分析計量 ... FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。
該技術 ...產品中心半導體量測設備量測設備集成電路工藝電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備平板顯示製造電阻率/膜厚量測光學檢測耗材及塗布機噴嘴液晶阻值量測觸摸屏檢測太陽能製程電阻率/PN/少子壽命/碳氧含量薄膜厚度及反射率太陽能模擬器聚焦太陽能化合物半導體基底及磊晶材料特性測試PL熒光光譜儀/電致發光霍爾效應電化學CV外延層厚度量測非接觸式面電阻/超高阻量測晶圓表面缺陷/幾何尺寸/形貌掃描深能級瞬態譜測試芯片製程及封裝應用LED光學特性測試探針台/探針薄膜厚度及電阻率電漿輔助化學氣相沉積系統曝光機測試與量測光學檢測分光光譜儀/夜視儀光功率計反射率/穿透率量測標準光源/積分球影像品質測試計量校準多功能校準器高精度數字萬用表標準功率源標準電阻/電容/電感安規測試儀及標準源高精度LCR表/高精度數字電橋光學計量其它計量量測儀器靜電量測及控制靜電量測靜電消除抗靜電能力測試與分析防靜電耗材防靜電工程材料潔淨室塵埃顆粒計數儀科研測試與分析高壓/脈衝源鐵電壓電材料材料特性分析其它科研儀器電路板檢測SMT器件檢測電路板全自動測試平臺電路板故障檢測電力電子量測電力設備檢測電力品質監測功率分析電磁干擾預檢測儀特殊量測測試應用道路安全反光材料檢測圖像品質/雷射印表機檢測工程材料工程塑料添加劑工程塑料顆粒工程塑料型材其他先進材料零件及加工服務服務與支持常見問題資料下載技術支援視頻展示代理廠商關於德技公司簡介公司新聞展會信息加入我們聯絡我們SalesPerformanceIndexEnglish简体中文半導體半導體化合物半導體測試與量測工程材料集成電路工藝量測設備集成電路工藝平板顯示製造太陽能製程晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備多角度分光光譜臨界尺寸測量儀產品型號：FilmTek™CD制造原廠：ScientificComputingInternational索取報價產品描述和特色產品規格資料下載在線咨詢光學臨界尺寸（OCD）和高級膜分析計量FilmTek TM CD光學關鍵尺寸系統是SCI針對1xnm設計節點及更高級別的全自動化，高通量CD測量和高級薄膜分析的領先解決方案。
該系統可同時為已知和完全未知的結構提供即時多層堆疊特性和CD測量。
FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。
依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。
FilmTek TM CD通過獲得專利的多模式測量技術克服了這一限制，即使對於完全未知的結構也能提供準確的單一解決方案。
FilmTek TM CD包含專有衍射軟體，可實現快速，即時的優化。
即時優化允許用戶使用最少的設置時間和配方開發輕鬆測量未知結構，同時避免與庫生成相關的延遲和複雜性。
主要特徵：多模式測量技術，用於在1xnm設計節點及更高級別進行即時多層堆疊特性分析和CD測量。
專有嚴格耦合波分析（RCWA）的多角度散射測量正常入射光譜橢偏儀帶旋轉補償器設計的光譜廣義橢偏儀（4×4矩陣泛化法）多角度，DUV-NIR偏振光譜反射（R s，R p，R sp和R ps）完整的CD參數測量包括週期，線寬，溝槽深度和側壁角度獨立測量薄膜厚度和折射率專利抛物面反射鏡技術-在50×50μm的特點內採用小光斑尺寸測量快速，即時的優化允許以最少的設置時間實現廣泛的應用（無需生成庫）模式識別（Cognex）盒式晶圓處理盒FOUP或SMIF相容SECS/GEM應用厚度，折射率和光學CD測量未知薄膜的光學常數表徵超薄膜疊層的厚度廣泛的臨界尺寸測量應用，包括金屬柵極凹陷，高k凹陷，側壁角度，抗蝕劑高度，硬掩膜高度，溝槽和觸點輪廓以及俯仰步行技術規格 薄膜厚度範圍： 0到150μm 薄膜厚度準確度： NIST可追蹤標準氧化物100Å到1μm的±1.0Å 光譜範圍： 190nm至1000nm（標準為220nm至1000nm） 測量點大小： 50微米 光譜解析度： 為0.3nm 光源： 受控氘鹵素燈（壽命2,000小時）
該技術 ...產品中心半導體量測設備量測設備集成電路工藝電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備平板顯示製造電阻率/膜厚量測光學檢測耗材及塗布機噴嘴液晶阻值量測觸摸屏檢測太陽能製程電阻率/PN/少子壽命/碳氧含量薄膜厚度及反射率太陽能模擬器聚焦太陽能化合物半導體基底及磊晶材料特性測試PL熒光光譜儀/電致發光霍爾效應電化學CV外延層厚度量測非接觸式面電阻/超高阻量測晶圓表面缺陷/幾何尺寸/形貌掃描深能級瞬態譜測試芯片製程及封裝應用LED光學特性測試探針台/探針薄膜厚度及電阻率電漿輔助化學氣相沉積系統曝光機測試與量測光學檢測分光光譜儀/夜視儀光功率計反射率/穿透率量測標準光源/積分球影像品質測試計量校準多功能校準器高精度數字萬用表標準功率源標準電阻/電容/電感安規測試儀及標準源高精度LCR表/高精度數字電橋光學計量其它計量量測儀器靜電量測及控制靜電量測靜電消除抗靜電能力測試與分析防靜電耗材防靜電工程材料潔淨室塵埃顆粒計數儀科研測試與分析高壓/脈衝源鐵電壓電材料材料特性分析其它科研儀器電路板檢測SMT器件檢測電路板全自動測試平臺電路板故障檢測電力電子量測電力設備檢測電力品質監測功率分析電磁干擾預檢測儀特殊量測測試應用道路安全反光材料檢測圖像品質/雷射印表機檢測工程材料工程塑料添加劑工程塑料顆粒工程塑料型材其他先進材料零件及加工服務服務與支持常見問題資料下載技術支援視頻展示代理廠商關於德技公司簡介公司新聞展會信息加入我們聯絡我們SalesPerformanceIndexEnglish简体中文半導體半導體化合物半導體測試與量測工程材料集成電路工藝量測設備集成電路工藝平板顯示製造太陽能製程晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備多角度分光光譜臨界尺寸測量儀產品型號：FilmTek™CD制造原廠：ScientificComputingInternational索取報價產品描述和特色產品規格資料下載在線咨詢光學臨界尺寸（OCD）和高級膜分析計量FilmTek TM CD光學關鍵尺寸系統是SCI針對1xnm設計節點及更高級別的全自動化，高通量CD測量和高級薄膜分析的領先解決方案。
該系統可同時為已知和完全未知的結構提供即時多層堆疊特性和CD測量。
FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。
依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。
FilmTek TM CD通過獲得專利的多模式測量技術克服了這一限制，即使對於完全未知的結構也能提供準確的單一解決方案。
FilmTek TM CD包含專有衍射軟體，可實現快速，即時的優化。
即時優化允許用戶使用最少的設置時間和配方開發輕鬆測量未知結構，同時避免與庫生成相關的延遲和複雜性。
主要特徵：多模式測量技術，用於在1xnm設計節點及更高級別進行即時多層堆疊特性分析和CD測量。
專有嚴格耦合波分析（RCWA）的多角度散射測量正常入射光譜橢偏儀帶旋轉補償器設計的光譜廣義橢偏儀（4×4矩陣泛化法）多角度，DUV-NIR偏振光譜反射（R s，R p，R sp和R ps）完整的CD參數測量包括週期，線寬，溝槽深度和側壁角度獨立測量薄膜厚度和折射率專利抛物面反射鏡技術-在50×50μm的特點內採用小光斑尺寸測量快速，即時的優化允許以最少的設置時間實現廣泛的應用（無需生成庫）模式識別（Cognex）盒式晶圓處理盒FOUP或SMIF相容SECS/GEM應用厚度，折射率和光學CD測量未知薄膜的光學常數表徵超薄膜疊層的厚度廣泛的臨界尺寸測量應用，包括金屬柵極凹陷，高k凹陷，側壁角度，抗蝕劑高度，硬掩膜高度，溝槽和觸點輪廓以及俯仰步行技術規格 薄膜厚度範圍： 0到150μm 薄膜厚度準確度： NIST可追蹤標準氧化物100Å到1μm的±1.0Å 光譜範圍： 190nm至1000nm（標準為220nm至1000nm） 測量點大小： 50微米 光譜解析度： 為0.3nm 光源： 受控氘鹵素燈（壽命2,000小時）