多角度分光光譜臨界尺寸測量儀--Quatek | ocd半導體
光學臨界尺寸（OCD）和高級膜分析計量 ... FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。
該技術 ...產品中心半導體量測設備量測設備集成電路工藝電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備平板顯示製造電阻率/膜厚量測光學檢測耗材及塗布機噴嘴液晶阻值量測觸摸屏檢測太陽能製程電阻率/PN/少子壽命/碳氧含量薄膜厚度及反射率太陽能模擬器聚焦太陽能化合物半導體基底及磊晶材料特性測試PL熒光光譜儀/電致發光霍爾效應電化學CV外延層厚度量測非接觸式面電阻/超高阻量測晶圓表面缺陷/幾何尺寸/形貌掃描深能級瞬態譜測試芯片製程及封裝應用LED光學特性測試探針台/探針薄膜厚度及電阻率電漿輔助化學氣相沉積系統曝光機測試與量測光學檢測分光光譜儀/夜視儀光功率計反射率/穿透率量測標準光源/積分球影像品質測試計量校準多功能校準器高精度數字萬用表標準功率源標準電阻/電容/電感安規測試儀及標準源高精度LCR表/高精度數字電橋光學計量其它計量量測儀器靜電量測及控制靜電量測靜電消除抗靜電能力測試與分析防靜電耗材防靜電工程材料潔淨室塵埃顆粒計數儀科研測試與分析高壓/脈衝源鐵電壓電材料材料特性分析其它科研儀器電路板檢測SMT器件檢測電路板全自動測試平臺電路板故障檢測電力電子量測電力設備檢測電力品質監測功率分析電磁干擾預檢測儀特殊量測測試應用道路安全反光材料檢測圖像品質/雷射印表機檢測工程材料工程塑料添加劑工程塑料顆粒工程塑料型材其他先進材料零件及加工服務服務與支持常見問題資料下載技術支援視頻展示代理廠商關於德技公司簡介公司新聞展會信息加入我們聯絡我們SalesPerformanceIndexEnglish简体中文半導體半導體化合物半導體測試與量測工程材料集成電路工藝量測設備集成電路工藝平板顯示製造太陽能製程晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備多角度分光光譜臨界尺寸測量儀產品型號：FilmTek™CD制造原廠：ScientificComputingInternational索取報價產品描述和特色產品規格資料下載在線咨詢光學臨界尺寸（OCD）和高級膜分析計量FilmTek TM CD光學關鍵尺寸系統是SCI針對1xnm設計節點及更高級別的全自動化，高通量CD測量和高級薄膜分析的領先解決方案。
該系統可同時為已知和完全未知的結構提供即時多層堆疊特性和CD測量。
FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。
依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。
FilmTek TM CD通過獲得專利的多模式測量技術克服了這一限制，即使對於完全未知的結構也能提供準確的單一解決方案。
FilmTek TM CD包含專有衍射軟體，可實現快速，即時的優化。
即時優化允許用戶使用最少的設置時間和配方開發輕鬆測量未知結構，同時避免與庫生成相關的延遲和複雜性。
主要特徵：多模式測量技術，用於在1xnm設計節點及更高級別進行即時多層堆疊特性分析和CD測量。
專有嚴格耦合波分析（RCWA）的多角度散射測量正常入射光譜橢偏儀帶旋轉補償器設計的光譜廣義橢偏儀（4×4矩陣泛化法）多角度，DUV-NIR偏振光譜反射（R s，R p，R sp和R ps）完整的CD參數測量包括週期，線寬，溝槽深度和側壁角度獨立測量薄膜厚度和折射率專利抛物面反射鏡技術-在50×50μm的特點內採用小光斑尺寸測量快速，即時的優化允許以最少的設置時間實現廣泛的應用（無需生成庫）模式識別（Cognex）盒式晶圓處理盒FOUP或SMIF相容SECS/GEM應用厚度，折射率和光學CD測量未知薄膜的光學常數表徵超薄膜疊層的厚度廣泛的臨界尺寸測量應用，包括金屬柵極凹陷，高k凹陷，側壁角度，抗蝕劑高度，硬掩膜高度，溝槽和觸點輪廓以及俯仰步行技術規格 薄膜厚度範圍： 0到150μm 薄膜厚度準確度： NIST可追蹤標準氧化物100Å到1μm的±1.0Å 光譜範圍： 190nm至1000nm（標準為220nm至1000nm） 測量點大小： 50微米 光譜解析度： 為0.3nm 光源： 受控氘鹵素燈（壽命2,000小時）
該技術 ...產品中心半導體量測設備量測設備集成電路工藝電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備平板顯示製造電阻率/膜厚量測光學檢測耗材及塗布機噴嘴液晶阻值量測觸摸屏檢測太陽能製程電阻率/PN/少子壽命/碳氧含量薄膜厚度及反射率太陽能模擬器聚焦太陽能化合物半導體基底及磊晶材料特性測試PL熒光光譜儀/電致發光霍爾效應電化學CV外延層厚度量測非接觸式面電阻/超高阻量測晶圓表面缺陷/幾何尺寸/形貌掃描深能級瞬態譜測試芯片製程及封裝應用LED光學特性測試探針台/探針薄膜厚度及電阻率電漿輔助化學氣相沉積系統曝光機測試與量測光學檢測分光光譜儀/夜視儀光功率計反射率/穿透率量測標準光源/積分球影像品質測試計量校準多功能校準器高精度數字萬用表標準功率源標準電阻/電容/電感安規測試儀及標準源高精度LCR表/高精度數字電橋光學計量其它計量量測儀器靜電量測及控制靜電量測靜電消除抗靜電能力測試與分析防靜電耗材防靜電工程材料潔淨室塵埃顆粒計數儀科研測試與分析高壓/脈衝源鐵電壓電材料材料特性分析其它科研儀器電路板檢測SMT器件檢測電路板全自動測試平臺電路板故障檢測電力電子量測電力設備檢測電力品質監測功率分析電磁干擾預檢測儀特殊量測測試應用道路安全反光材料檢測圖像品質/雷射印表機檢測工程材料工程塑料添加劑工程塑料顆粒工程塑料型材其他先進材料零件及加工服務服務與支持常見問題資料下載技術支援視頻展示代理廠商關於德技公司簡介公司新聞展會信息加入我們聯絡我們SalesPerformanceIndexEnglish简体中文半導體半導體化合物半導體測試與量測工程材料集成電路工藝量測設備集成電路工藝平板顯示製造太陽能製程晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量電阻率/PN性/少子壽命矽片分選晶圓厚度/薄膜厚度/應力測量碳氧含量量測表面缺陷分析曝光機半導體器件測試探針台/探針卡/半導體相關設備多角度分光光譜臨界尺寸測量儀產品型號：FilmTek™CD制造原廠：ScientificComputingInternational索取報價產品描述和特色產品規格資料下載在線咨詢光學臨界尺寸（OCD）和高級膜分析計量FilmTek TM CD光學關鍵尺寸系統是SCI針對1xnm設計節點及更高級別的全自動化，高通量CD測量和高級薄膜分析的領先解決方案。
該系統可同時為已知和完全未知的結構提供即時多層堆疊特性和CD測量。
FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。
依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。
FilmTek TM CD通過獲得專利的多模式測量技術克服了這一限制，即使對於完全未知的結構也能提供準確的單一解決方案。
FilmTek TM CD包含專有衍射軟體，可實現快速，即時的優化。
即時優化允許用戶使用最少的設置時間和配方開發輕鬆測量未知結構，同時避免與庫生成相關的延遲和複雜性。
主要特徵：多模式測量技術，用於在1xnm設計節點及更高級別進行即時多層堆疊特性分析和CD測量。
專有嚴格耦合波分析（RCWA）的多角度散射測量正常入射光譜橢偏儀帶旋轉補償器設計的光譜廣義橢偏儀（4×4矩陣泛化法）多角度，DUV-NIR偏振光譜反射（R s，R p，R sp和R ps）完整的CD參數測量包括週期，線寬，溝槽深度和側壁角度獨立測量薄膜厚度和折射率專利抛物面反射鏡技術-在50×50μm的特點內採用小光斑尺寸測量快速，即時的優化允許以最少的設置時間實現廣泛的應用（無需生成庫）模式識別（Cognex）盒式晶圓處理盒FOUP或SMIF相容SECS/GEM應用厚度，折射率和光學CD測量未知薄膜的光學常數表徵超薄膜疊層的厚度廣泛的臨界尺寸測量應用，包括金屬柵極凹陷，高k凹陷，側壁角度，抗蝕劑高度，硬掩膜高度，溝槽和觸點輪廓以及俯仰步行技術規格 薄膜厚度範圍： 0到150μm 薄膜厚度準確度： NIST可追蹤標準氧化物100Å到1μm的±1.0Å 光譜範圍： 190nm至1000nm（標準為220nm至1000nm） 測量點大小： 50微米 光譜解析度： 為0.3nm 光源： 受控氘鹵素燈（壽命2,000小時）